爱普科技扩大S-SiCap™技术应用版图 满足AI与HPC新需求

新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，S-SiCapTM（Stack Silicon Capacitor）产品线持续深化技术布局，聚焦AI服务器与高性能计算（HPC）的整合挑战。S-SiCapTM产品线涵盖分离式硅电容（Discrete Devices）与硅电容中介层IPC（InterPoser with silicon Capacitor）两大类型，对应不同系统架构与应用情境，满足多元设计需求。

爱普科技的分离式硅电容S-SiCapTM Gen4电容值密度已提升至 3.8 μF/mm²，较前一代Gen3再增逾50%。为满足高性能计算与AI服务器对高性能与功率的需求趋势，Gen4亦率先导入嵌入式基板（Embedded Substrate）封装，目前已送样进行制程验证，量产导入时程将自2026年起逐步展开。

另一方面，硅电容中介层S-SiCapTM Interposer采用硅晶圆作为中介层基板，内建高电容密度的硅电容，显著强化裸晶对裸晶（Die-to-Die）、序列器／解序列器（SerDes）及高带宽内存（HBM）等高速I/O应用的信号与电源稳定性。爱普并携手供应链合作，导入接合曝光技术(reticle-stitching technology)，扩展中介层裸晶面积，进而承载更多Chiplet IC，满足先进封装对更高整合度的需求。目前S-SiCapTM Interposer已完成客户端的封装与可靠度验证，并于第三季末正式进入四个reticle的量产阶段，新项目亦陆续展开。

爱普科技总经理洪志勋表示，随着AI与高性能计算应用快速成长，市场对电源完整性与高速信号传输的要求日益严苛。爱普透过S-SiCapTM产品线，将硅电容以分离式及中介层方式整合于各类先进封装架构，兼具高效能、高整合度与设计弹性，满足新世代AI与HPC系统的严苛需求。展望未来，爱普也正积极开发能应用在有机中介层（Organic Interposer）的硅电容产品，持续拓展产品版图。